以下是小编整理的静电放电次数与半导体器件潜在性失效的关系，本文共2篇，欢迎阅读分享。
篇1：静电放电次数与半导体器件潜在性失效的关系
静电放电次数与半导体器件潜在性失效的关系
为研究硅双极晶体管中由ESD注入引起的潜在性失效与放电次数间的关系,对微波低噪声小功率硅双极器件进行了同一电压不同次数的人体模型ESD注入实验.注入电压为1.50 kV.注入管脚为器件对ESD最敏感的端对.器件分组注入不同次数的ESD后,将注入和未注入过ESD的器件同时进行加速寿命实验.通过比较各组器件损伤率的大小来反映器件使用寿命的变化.经统计分析与计算发现:开始时,随放电次数的`增加,器件出现潜在性失效的概率增大,当概率达到一定极限值后,又会随放电次数的增大而减小,说明ESD的注入不仅可能在部分硅器件内部造成潜在性失效,也可能提高另外一部分器件的可靠性.
作 者：杨洁 刘尚合 刘红兵 祁树锋 YANG Jie LIU Shang-he LIU Hong-bing QI Shu-feng 作者单位：杨洁,刘尚合,祁树锋,YANG Jie,LIU Shang-he,QI Shu-feng(军械工程学院,静电与电磁防护研究所,河北,石家庄,050003)刘红兵,LIU Hong-bing(中国电子科技集团公司,第十三研究所,河北,石家庄,050000)
刊 名：河北大学学报（自然科学版） ISTIC PKU英文刊名：JOURNAL OF HEBEI UNIVERSITY(NATURAL SCIENCE EDITION) 年，卷(期)： 27(6) 分类号：O441 关键词：硅双极晶体管 静电放电 潜在性失效 注入次数 微波低噪声小功率 加速寿命实验篇2：空气放电模式下静电放电模拟器瞬态电流峰值与上升时间的关系
空气放电模式下静电放电模拟器瞬态电流峰值与上升时间的关系
使用2种静电放电模拟器,在空气放电模式下以任意速度向靶运动并进行放电,同时测量瞬时放电电流波形,考察放电电流上升时间与峰值电流的.关系.结果发现,峰值电流和充电电压的比值与放电电流的上升时间存在着指数关系:Iptξr/Vc=const..
作 者： 作者单位： 刊 名：物理实验 PKU英文刊名：PHYSICS EXPERIMENTATION 年，卷(期)：2005 25(10) 分类号：O441.1 TM15 关键词：静电放电 瞬时峰值电流 上升时间★离子性指数、极化效应指数与烷烃13C NMR化学位移的关系研究
《静电放电次数与半导体器件潜在性失效的关系（合集2篇）.doc》
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