以下文章小编为您整理的内存频率知识介绍，本文共7篇，供大家阅读。
篇1：内存频率知识介绍
不少人在看内存参数时，会发现内存频率这个词，那么这个词是什么意思呢?这里给大家分享一些关于内存频率知识介绍，希望对大家能有所帮助。
内存频率是什么
计算机系统的时钟速度是以频率来衡量的。晶体振荡器控制着时钟速度，在石英晶片上加上电压，其就以正弦波的形式震动起来，这一震动可以通过晶片的形变和大小记录下来。晶体的震动以正弦调和变化的电流的形式表现出来，这一变化的电流就是时钟信号。而内存本身并不具备晶体振荡器，因此内存工作时的时钟信号是由主板芯片组的北桥或直接由主板的时钟发生器提供的，也就是说内存无法决定自身的工作频率，其实际工作频率是由主板来决定的。
内存主频和CPU主频一样，习惯上被用来表示内存的速度，它代表着该内存所能达到的最高工作频率。内存主频是以MHz兆赫为单位来计量的。内存主频越高在一定程度上代表着内存所能达到的速度越快。内存主频决定着该内存最高能在什么样的频率正常工作。目前较为主流的内存频率室333MHz和400MHz的DDR内存，以及533MHz和667MHz的DDR2内存。
DDR内存和DDR2内存的频率可以用工作频率和等效频率两种方式表示，工作频率是内存颗粒实际的工作频率，但是由于DDR内存可以在脉冲的上升和下降沿都传输数据，因此传输数据的等效频率是工作频率的两倍;而DDR2内存每个时钟能够以四倍于工作频率的速度读/写数据，因此传输数据的等效频率是工作频率的四倍。例如DDR 200/266/333/400的工作频率分别是100/133/166/200MHz，而等效频率分别是200/266/333/400MHz;DDR2 400/533/667/800的工作频率分别是100/133/166/200MHz，而等效频率分别是400/533/667/800MHz。
内存异步工作模式包含多种意义，在广义上凡是内存工作频率与CPU的外频不一致时都可以称为内存异步工作模式。首先，最早的内存异步工作模式出现在早期的主板芯片组中，可以使内存工作在比CPU外频高33MHz或者低33MHz的模式下注意只是简单相差33MHz，从而可以提高系统内存性能或者使老内存继续发挥余热。其次，在正常的工作模式CPU不超频下，目前不少主板芯片组也支持内存异步工作模式，例如Intel 910GL芯片组，仅仅只支持533MHz FSB即133MHz的CPU外频，但却可以搭配工作频率为133MHz的DDR 266、工作频率为166MHz的DDR 333和工作频率为200MHz的DDR 400正常工作注意此时其CPU外频133MHz与DDR 400的工作频率200MHz已经相差66MHz了，只不过搭配不同的内存其性能有差异罢了。再次，在CPU超频的情况下，为了不使内存拖CPU超频能力的后腿，此时可以调低内存的工作频率以便于超频，例如AMD的Socket 939接口的Opteron 144非常容易超频，不少产品的外频都可以轻松超上300MHz，而此如果在内存同步的工作模式下，此时内存的等效频率将高达DDR 600，这显然是不可能的，为了顺利超上300MHz外频，我们可以在超频前在主板BIOS中把内存设置为DDR 333或DDR 266，在超上300MHz外频之后，前者也不过才DDR 500某些极品内存可以达到，而后者更是只有DDR 400完全是正常的标准频率，由此可见，正确设置内存异步模式有助于超频成功。
怎样看内存的频率
我们知道内存性能由内存容量以及内存频率共同决定，在相同容量的内存中，内存频率越高，其性能就越好。目前内存频率主要有：
DDR2内存频率主要有：333MHz和400MHz的DDR内存，667MHz、800MHz和1066MHz
DDR3内存频率主要有：1066MHz、1333MHz、1600MHz
其中DDR2内存如今已经淘汰，很多早两三年购买或者更早购买的电脑均为DDR2内存，内存频率普遍较低，最高也不过只有1066Mhz，如今主流的内存频率是1333MHz和1600MHz频率内存，并且随着Intel平台的B75以上以及AMD A75以上主板均支持1600MHz频率内存，因此1600MHz频率内存会成为主流。
使用一些电脑优化软件可以检测内存频率，比如使用鲁大师检测电脑硬件信息即可检测到内存容量与频率了，如下图所示的就是使用鲁大师检测电脑硬件配置的结果，其中就包含了内存频率一项，
运用系统命令行命令查看内存频率
1首先，当然是要靠windows系统自身的工具盒方法来查看内存频率。按下WIN键+R组合键，打开运行，输入cmd,回车，进入命令提示符窗口，在其中输入wmic memorychip。注意，wmic和memorychip两个单词之间的空格不要忽略哦。如图，你会查看到关于内存非常详细的信息，包括频率，还包括内存个数、容量、位宽、描述等等。
2利用CPU-Z软件查看内存频率
鉴于CPU-Z是重要而且专业的电脑硬件检测软件，首先讲讲如何下载安装CPU-Z。建议电脑安装360安全卫士，在360安全卫士的“软件管家”--“软件大全”的搜索框中输入“CPU-Z”，单击搜索，在搜索结果中单击“下载”即可
3下载完成后，单击“安装”。弹出CPU-Z安装窗口，单击“下一步”，同意安装协议，单击“下一步”，选择安装的位置，尽量不要设置在c盘系统盘，我设置在了D盘，单击“下一步”，直到安装完成。
安装完毕，打开CPU-Z软件，单击菜单栏中的“内存”，就可以看到关于系统内存的信息了，内存频率也包含其间。
总的来说，内存由容量与频率决定，相同内存容量下，频率越高，性能就越好。
内存频率的影响
首先我们要说明的是，内存容量不在我们的讨论范围之内，毕竟4GB已经成为了当今的主流，应付一般应用及3D游戏完全不成问题，只有在某些特定应用下，才需要更大容量的内存。
盔甲武士系列8GB DDR3-2133内存套装
测试使用内存为宇瞻8GB/2133套装内存，通过自带的X.M.P技术可以轻松让内存稳定运行在DDR3-2133频率上，以便笔者测试DDR3-1600、DDR3-、DDR3-2133三种不同规格频率。
X.M.P打开内存可自动运行标称频率
符合了英特尔XMP认证的内存，SPD中有两个或更多频率设定档案，只要在主板中启用这些预设的XMP档案，即可将内存条自动超频到更高值。也就是说即便是小白，也可轻松完成超频，而无需在BIOS中进行详细的手动调节。
游戏实测频率差别
通过主流孤岛危机游戏实测，我们设定了两档频率。在DDR3-1600主流频率下，游戏帧数一直维持在94-105帧之间，已经很流畅的在运行。当频率提升到DDR3-2133后，游戏帧数直接提升到98-108之间。笔者的测试机配置较高，对于一般家庭而言，显卡和CPU处于主流水平的话，在高频内存下对于游戏画面流畅度提升还是很有帮助的。
篇2：内存频率知识
大家都熟悉CPU主频,但是内存主频也许了解的不多,因为内存频率一般都不怎么提起,但是要想全面的学习理解电脑知识,就应该理解,更多的学习.
计算机系统的时钟速度是以频率来衡量的，晶体振荡器控制着时钟速度，在石英晶片上加上电压，其就以正弦波的形式震动起来，这一震动可以通过晶片的形变和大小记录下来。晶体的震动以正弦调和变化的电流的形式表现出来，这一变化的电流就是时钟信号。而内存本身并不具备晶体振荡器，因此内存工作时的时钟信号是由主板芯片组的北桥或直接由主板的时钟发生器提供的，也就是说内存无法决定自身的工作频率，其实际工作频率是由主板来决定的。
内存主频和CPU主频一样，习惯上被用来表示内存的速度，它代表着该内存所能达到的最高工作频率。内存主频是以MHz（兆赫）为单位来计量的。内存主频越高在一定程度上代表着内存所能达到的速度越快。内存主频决定着该内存最高能在什么样的频率正常工作。目前较为主流的内存频率室333MHz和400MHz的DDR内存，以及533MHz和667MHz的DDR2内存。
DDR内存和DDR2内存的频率可以用工作频率和等效频率两种方式表示，工作频率是内存颗粒实际的工作频率，但是由于DDR内存可以在脉冲的上升和下降沿都传输数据，因此传输数据的等效频率是工作频率的两倍；而DDR2内存每个时钟能够以四倍于工作频率的速度读/写数据，因此传输数据的等效频率是工作频率的四倍。例如DDR 200/266/333/400的工作频率分别是100/133/166/200MHz，而等效频率分别是200/266/333/400MHz；DDR2 400/533/667/800的工作频率分别是100/133/166/200MHz，而等效频率分别是400/533/667/800MHz，
内存异步工作模式包含多种意义，在广义上凡是内存工作频率与CPU的外频不一致时都可以称为内存异步工作模式。首先，最早的内存异步工作模式出现在早期的主板芯片组中，可以使内存工作在比CPU外频高33MHz或者低33MHz的模式下(注意只是简单相差33MHz)，从而可以提高系统内存性能或者使老内存继续发挥余热。其次，在正常的工作模式(CPU不超频)下，目前不少主板芯片组也支持内存异步工作模式，例如Intel 910GL芯片组，仅仅只支持533MHz FSB即133MHz的CPU外频，但却可以搭配工作频率为133MHz的DDR 266、工作频率为166MHz的DDR 333和工作频率为200MHz的DDR 400正常工作(注意此时其CPU外频133MHz与DDR 400的工作频率200MHz已经相差66MHz了)，只不过搭配不同的内存其性能有差异罢了。再次，在CPU超频的情况下，为了不使内存拖CPU超频能力的后腿，此时可以调低内存的工作频率以便于超频，例如AMD的Socket 939接口的Opteron 144非常容易超频，不少产品的外频都可以轻松超上300MHz，而此如果在内存同步的工作模式下，此时内存的等效频率将高达DDR 600，这显然是不可能的，为了顺利超上300MHz外频，我们可以在超频前在主板BIOS中把内存设置为DDR 333或DDR 266，在超上300MHz外频之后，前者也不过才DDR 500(某些极品内存可以达到)，而后者更是只有DDR 400(完全是正常的标准频率)，由此可见，正确设置内存异步模式有助于超频成功。
篇3：内存小知识 内存频率与内存延迟
内存频率：
顾名思义，内存频率就是内存的工作频率，即是速度，速度这东西当然是越快越好了，就好比你的车开得越快速度肯定越高一样。但这也需要和系统配合，车的最快时速再高但是受路面限制的话还是无法发挥最佳性能的。同时需要注意的是，车开得越快安全系数也越低，高速内存也会导致延迟增长。
内存延迟：
内存延迟时间决定了内存的性能，这个参数越小，内存性能越好。内存延迟通常采用4个数字表示，中间用“-”隔开，以“5-4-4-12”为例，第一个数代表CAS(Column Address Strobe)延迟时间，也就是内存存取数据所需的延迟时间，即通常说的CL值；第二个数代表RAS(Row Address Strobe)-to-CAS延迟，表示内存行地址传输到列地址的延迟时间；第三个数表示RAS Prechiarge延迟（内存行地址脉冲预充电时间）；最后一个数则是Act-to-Prechiarge延迟（内存行地址选择延迟），
这4个延迟中最重要的指标是第一个参数CAS，它代表内存接收到一条指令后要等待多少个时间周期才能执行任务，就像开车从发现危险到刹车一样需要一定的反应时间。这个时间只有长短之分而不可能消除，内存的CL值也不可能消除，一般来说频率相同的内存CL值越小性能就越高。
篇4：内存处理器知识介绍
在现如今这个电子信息时代，几乎每个人都离不开网络、离不开电子产品，而内存在电子产品里有至关重要的作用，这里给大家分享一些关于内存处理器知识介绍，希望对大家能有所帮助。
什么是ECC内存
ECC是Error Correction Coding或Error Cheching and Correcting的缩写，它代表具有 自动纠错功能的内存。目前的ECC存储器一般只能纠正一位二进制数的错误。 Intel公司的82430H__芯片组可支持ECC内存，所以采用82430H__芯片的主板一般都可以安 装使用ECC内存，由于ECC内存成本比较高，所以它主要应用在要求系统运算可靠性比较高 的商业计算机中。 由于实际上存储器出错的情况不会经常发生，所以一般的家用计算机不必采用ECC内存，还 有不少控制电路芯片不能支持ECC内存，所以有不少主机是不宜安装ECC内存的，用户应注 意对ECC内存不要盲从。
SDRAM能与EDO RAM混用吗
SDRAM是新一代的动态存储器，又称为同步动态存储器或同步DRAM。它可以与CPU总线使用 同一个时钟，而EDO和FPM存储器则与CPU总线是异步的。目前SDRAM存储器的读写周期一 般为5-1-1-1。相比之下，EDO内存器一般为6-2-2-2。也就是说，SDRAM的读写周期比EDO 少4个，大约节省存储器读写时间28%，但实际上由于计算机内其它设备的制约，使用 SDRAM的计算机大约可提高性能5～10%。 虽然有不少主机支持SDRAM与EDO内存混合安装方式，但是最好不要混用。原因是多数 SDRAM只能在3.3V下工作，而EDO内存则多数在5V下工作。
虽然主机板上对DIMM和SIMM 分别供电，但它们的数据线总是要连在一起的，如果SIMM72线内存与DIMM168线SDRAM 混用，尽管开始系统可以正常工作，但可能在使用一段时间后，会造成SDRAM的数据输入端 被损坏。 当然，如果你的SDRAM是宽电压3V～5V工作的产品，就不会出现这种损坏情况。目前T1 和SUMSUNG的某些SDRAM产品支持宽电压工作方式，可以与EDO内存混用。
高速缓存--Cache 介绍Cache的分级
随着CPU的速度的加快，它与动态存储器DRAM配合工作时往往需要插入等待状态，这样难 以发挥出CPU的高速度，也难以提高整机的性能。如果采用静态存储器，虽可以解决该问 题，但SRAM价格高。在同样容量下，SARM的价格是DRAM的4倍。而且SRAM体积大，集成 度低。 为解决这个问题，在386D__以上的主板中采用了高速缓冲存储器--Cache技术。其基本思想 是用少量的SRAM作为CPU与DRAM存储系统之间的缓冲区，即Cache系统。 80486以及更高档微处理器的一个显著特点是处理器芯片内集成了SRAM作为Cache，由于这 些Cache装在芯片内，因此称为片内Cache。486芯片内Cache的容量通常为8K。高档芯片 如Pentium为16KB，Power PC可达32KB。Pentium微处理器进一步改进片内Cache，采用 数据和双通道Cache技术，相对而言，片内Cache的容量不大，但是非常灵活、方便，极大 地提高了微处理器的性能。
片内Cache也称为一级Cache。 由于486，586等高档处理器的时钟频率很高，一旦出现一级Cache未命中的情况，性能将 明显恶化。在这种情况下采用的办法是在处理器芯片之外再加Cache，称为二级Cache。二 级Cache实际上是CPU和主存之间的真正缓冲。由于系统板上的响应时间远低于CPU的速 度，如果没有二级Cache就不可能达到486，586等高档处理器的理想速度。 二级Cache的容量通常应比一级Cache大一个数量级以上。在系统设置中，常要求用户确定 二级Cache是否安装及尺寸大小等。二级Cache的大小一般为128KB、256KB或512KB。 在486以上档次的微机中，普遍采用256KB或512KB同步Cache。所谓同步是指Cache和 CPU采用了相同的时钟周期，以相同的速度同步工作。相对于异步Cache，性能可提高30% 以上。
什么是CACHE存储器
所谓Cache，即高速缓冲存储器，是位于CPU和主存储器DRAMDynamic RAM之间的规模较 小的但速度很高的存储器，通常由SRAM组成。SRAMStatic RAM是静态存储器的英文缩 写。由于SRAM采用了与制作CPU相同的半导体工艺，因此与动态存储器DRAM比较，SRAM 的存取速度快，但体积较大，价格很高。
由于动态RAM组成的主存储器的读写速度低于CPU 的速度，而CPU每执行一条指令都要访问一次或多次主存，所以CPU总是要处于等待状态， 严重地降低了系统的效率。采用Cache之后，在Cache中保存着主存储器内容的部分副本， CPU在读写数据时，首先访问Cache。由于Cache的速度与CPU相当，因此CPU就能在零等 待状态下迅速地完成数据的读写。只有Cache中不含有CPU所需的数据时，CPU才去访问主 存。CPU在访问Cache时找到所需的数据称为命中，否则称为未命中。因此，访问Cache的 命中率则成了提高效率的关键。而提高命中率则取决于Cache存储器的映象方式和Cache内 容替换的算法等一系列因素。
对内存扩容时应遵循哪些规则
对内存扩充容量时，应遵循下面的一些规则：
1.对大多数PC机来说，不能在同一组Bank内每组包括两到四个插座将不同大小的SIMM 条混合在一起。很多PC机都可安装不同容量的SIMM，但装在PC机同一组中的所有SIMM必 须具有相同的容量，例如，对一个四插槽组来说，PC机一般既可接受1MB的SIMM条，也可 接受4MB的SIMM条，可在该组的每个槽内安装1MB SIMM，则这一组共可容纳4MB内存。也 可在该组每个槽内安装4MB SIMM，则这一组共可容纳16MB内存。但是，不能为了得到10MB 内存，在两个槽内插入1MB的SIMM条，而在另两个槽中插入4MB的SIMM条。
2.对于很多PC机来说，若把不同速度的SIMM混合在一起，即使它们的容量相同也会带来麻 烦。例如，计算机中已有运行速度为60纳秒ns的4MB内存，而文档中说70ns的SIMM也 能工作。如果在母板的空闲内存槽中再插入速度为70ns的SIMM条，机器会拒绝引导或在启 动后不久就陷于崩溃。对于某些机器来说，若把速度低的SIMM放至第一组，则可解决速度 混合问题。计算机会按最低速度存取，剩余部分不会再有用。
3.对于大多数PC机来说，必须将一组的所有插槽都插满。或者将一组全部置空当然第一组 不行。在一组中不能只装一部分。
4.PC机可接受的SIMM大小有一个上限最大值可从PC机说明书中找到。若没有说明书，唯 一的方法就是从实践中找到最大值了。 何谓30线、72线、168线内存条 内存条;30线;72线;168线 介绍30线、72线、168线内存条的有关知识及相互之间的区别 条形存储器是把一些存储器芯片焊在一小条印制电路板上做成的，即称之为内存条，所谓内 存条线数即引脚数，按引脚数不同可把内存条分为30线的内存条、72线的内存条SIMM， 即Sigle inline Memory Modale和168线的内存条DIMM，即Double inline Memory Module。
内存条的引脚数必须与主板上内存槽的插脚数相匹配，内存条插槽也有30线、72 线和168线三种。 30线内存条提供8位有效数据位。常见容量有256KB、1MB和4MB。72线的内存条体积稍大，提供32位的有效数据位。常见容量有4MB、8MB、16MB和32MB。 按下按键你可以看到72线内存条的外观形状。 168线的内存条体积较大，提供64位有效数据位。
如何识别Cache存储器芯片标志
目前微机系统中，常用的静态RAM的容量有8K×8位64Kbit、32K×8256Kbit位以及 64K×8512Kbit位三种芯片，存取时间周期为15ns到30ns。以上参数在静态SRAM芯片 上常标注为：____64-25____65-25、____256-15____257-15、____512-15等。 以____256-15为例，其中“256”表示容量单位为Kbit，“15”表示存取时间单位为 ns。 在表示SRAM存储器容量的数值中，“64”与“65”相同，都表示该芯片的容量为64Kbit， 即8KB。同理，“256”与“257”的含义也相同，即该芯片的容量为32KB。
例如在华硕 PVI686SP3主板上使用的SRAM芯片为W24257AK-15，即该芯片的容量为32K×8位，存取速 度为15ns。 如何用软件的方法检测Cache? 检测;高速缓存;Cache 介绍用软件检测Cache的方法 主板上Cache的大小和有无很难用一般方法判断，尤其是有的主板连BIOS都被不法经销商 修改过以方便作假。486时代常用的拔插法现在也不灵了——奔腾主板上很多标称256K的 Cache芯片都是直接SMT表面安装上去的，无法拔插。测试Cache的软件确实有一些，如 CCT等，但普通用户很难得到这些专业软件。
篇5：内存接口类型知识介绍
不少人在看内存参数时，会发现内存接口类型这个词，那么这个词是什么意思呢?这里给大家分享一些关于内存接口类型知识介绍，希望对大家能有所帮助。
内存的接口类型的分析介绍
1、金手指
金手指connectingfinger是内存条上与内存插槽之间的连接部件，所有的信号都是通过金手指进行传送的。金手指由众多金黄色的导电触片组成，因其表面镀金而且导电触片排列如手指状，所以称为金手指。金手指实际上是在覆铜板上通过特殊工艺再覆上一层金，因为金的抗氧化性极强，而且传导性也很强。不过，因为金昂贵的价格，目前较多的内存都采用镀锡来代替。从上个世纪90年代开始，锡材料就开始普及，目前主板、内存和显卡等设备的金手指，几乎都是采用的锡材料，只有部分高性能服务器/工作站的配件接触点，才会继续采用镀金的做法，价格自然不菲。
内存处理单元的所有数据流、电子流，正是通过金手指与内存插槽的接触与PC系统进行交换，是内存的输出输入端口。因此，其制作工艺，对于内存连接显得相当重要。
2、内存插槽
最初的计算机系统，通过单独的芯片安装内存，那时内存芯片都采用DIPDualln-linePackage，双列直插式封装封装，DIP芯片是通过安装在插在总线插槽里的内存卡与系统连接，此时还没有正式的内存插槽。DIP芯片有个最大的问题，就在于安装起来很麻烦，而且随着时间的增加，由于系统温度的反复变化，它会逐渐从插槽里偏移出来。随着每日频繁的计算机启动和关闭，芯片不断被加热和冷却，慢慢地芯片会偏离出插槽。最终导致接触不好，产生内存错误。
早期还有另外一种方法，是把内存芯片直接焊接在主板或扩展卡里，这样有效避免了DIP芯片偏离的问题，但无法再对内存容量进行扩展，而且如果一个芯片发生损坏，整个系统都将不能使用，只能重新焊接一个芯片或更换包含坏芯片的主板。此种方法付出的代价较大，也极为不便。
对于内存存储器，大多数现代的系统，都已采用单列直插内存模块SingleInlineMemoryModule，SIMM或双列直插内存模块DualInlineMemoryModule，DIMM来替代单个内存芯片。这些小板卡插入到主板或内存卡上的特殊连接器里。
SIMM逐渐被DIMM技术取代
3、内存模块
1SIMM
SIMMSingleInlineMemoryModule，单列直插内存模块。内存条通过金手指与主板连接，内存条正反两面都带有金手指。金手指可以在两面提供不同的信号，也可以提供相同的信号。SIMM就是一种两侧金手指都提供相同信号的内存结构，它多用于早期的FPM和EDDDRAM，最初一次只能传输8bif数据，后来逐渐发展出16bit、32bit的SIMM模组。其中，8bit和16bitSIMM使用30pin接口，32bit的则使用72pin接口。在内存发展进入SDRAM时代后，SIMM逐渐被DIMM技术取代。
内存2DIMM
DIMMDualInlineMemoryModule，双列直插内存模块。与SIMM相当类似，不同的只是DIMM的金手指两端，不像SIMM那样是互通的，它们各自独立传输信号。因此，可以满足更多数据信号的传送需要。同样采用DIMM，SDRAM的接口与DDR内存的接口也略有不同，SDRAMDIMM为168PinDIMM结构，金手指每面为84Pin，金手指上有两个卡口，用来避免插入插槽时，错误将内存反向插入而导致烧毁;DDRDIMM则采用184PinDIMM结构，金手指每面有92Pin，金手指上只有一个卡口。卡口数量的不同，是二者最为明显的区别。DDR2DIMM为240pinDIMM结构，金手指每面有120Pin，与DDRDIMM一样金手指一样，也只有一个卡口，但是卡口的位置与DDRDIMM稍微有一些不同。因此，DDR内存是插不进DDR2DIMM的，同理DDR2内存也是插不进DDRDIMM的。因此，在一些同时具有DDRDIMM和DDR2DIMM的主板上，不会出现将内存插错插槽的问题。
172PinMicroDIMM笔记本内存不同针脚DIMM接口对比。为了满足笔记本电脑对内存尺寸的要求，SO-DIMMSmallOutlineDIMMModule也开发了出来，它的尺寸比标准的DIMM要小很多，而且引脚数也不相同。同样SO-DIMM也根据SDRAM和DDR内存规格不同而不同。SDRAM的SO-DIMM只有144pin引脚，而DDR的SO-DIMM拥有200pin引脚。此外，笔记本内存还有MicroDIMM和MiniRegisteredDIMM两种接口。MicroDIMM接口的DDR为172pin，DDR2为214pin;MiniRegisteredDIMM接口为244pin，主要用于DDR2内存。
3RIMM
RIMMRambusInlineMemoryModule是Rambus公司生产的RDRAM内存所采用的接口类型。RIMM内存与DIMM的外型尺寸差不多，金手指同样也是双面的。RIMM有也184Pin的针脚，在金手指的中间部分有两个靠的很近的卡口。RIMM非ECC版有16位数据宽度，ECC版则都是18位宽。由于RDRAM内存较高的价格，此类内存在DIY市场很少见到，RIMM接口也就难得一见了。
接口的基本功能作用
(1)设置数据的寄存、缓冲逻辑，以适应CPU与外设之间的速度差异，接口通常由一些寄存器或RAM芯片组成，如果芯片足够大还可以实现批量数据的传输;
(2)能够进行信息格式的转换，例如串行和并行的转换;
(3)能够协调CPU和外设两者在信息的类型和电平的差异，如电平转换驱动器、数/模或模/数转换器等;
(4)协调时序差异;
(5)地址译码和设备选择功能;
(6)设置中断和DMA控制逻辑，以保证在中断和DMA允许的情况下产生中断和DMA请求信号，并在接受到中断和DMA应答之后完成中断处理和DMA传输。
篇6：电脑内存知识介绍
关于内存，不少人都知道它是电脑里面一个重要的部件，但是对于再深入的了解，恐怕就没有了吧。这里给大家分享一些关于电脑内存知识介绍，希望对大家能有所帮助。
你知道最新的RAM技术词汇吗?
介绍一些最新的RAM技术词汇
CDRAM-Cached DRAM——高速缓存存储器
CVRAM-Cached VRAM——高速缓存视频存储器
DRAM-Dynamic RAM——动态存储器
EDRAM-Enhanced DRAM——增强型动态存储器
EDO RAM-Extended Date Out RAM——外扩充数据模式存储器
EDO SRAM-Extended Date Out SRAM——外扩充数据模式静态存储器
EDO VRAM-Extended Date Out VRAM——外扩充数据模式视频存储器
FPM-Fast Page Mode——快速页模式
FRAM-Ferroelectric RAM——铁电体存储器
SDRAM-Synchronous DRAM——同步动态存储器
SRAM-Static RAM——静态存储器
SVRAM-Synchronous VRAM——同步视频存储器
3D RAM-3 DIMESION RAM——3维视频处理器专用存储器
VRAM-Video RAM——视频存储器
WRAM-Windows RAM——视频存储器图形处理能力优于VRAM
MDRAM-MultiBank DRAM——多槽动态存储器
SGRAM-Signal RAM——单口存储器
存储器有哪些主要技术指标
存储器是具有“记忆”功能的设备，它用具有两种稳定状态的物理器件来表示二进制数码 “0”和“1”，这种器件称为记忆元件或记忆单元。记忆元件可以是磁芯，半导体触发器、MOS电路或电容器等。 位bit是二进制数的最基本单位，也是存储器存储信息的最小单位，8位二进制数称为一 个字节Byte，可以由一个字节或若干个字节组成一个字Word在PC机中一般认为1个或 2个字节组成一个字。若干个忆记单元组成一个存储单元，大量的存储单元的集合组成一个 存储体MemoryBank。 为了区分存储体内的存储单元，必须将它们逐一进行编号，称为地址。地址与存储单元之间 一一对应，且是存储单元的唯一标志。应注意存储单元的地址和它里面存放的内容完全是两 回事。
根据存储器在计算机中处于不同的位置，可分为主存储器和辅助存储器。在主机内部，直接 与CPU交换信息的存储器称主存储器或内存储器。在执行期间，程序的数据放在主存储器 内。各个存储单元的内容可通过指令随机读写访问的存储器称为随机存取存储器RAM。另 一种存储器叫只读存储器ROM，里面存放一次性写入的程序或数据，仅能随机读出。RAM 和ROM共同分享主存储器的地址空间。
RAM中存取的数据掉电后就会丢失，而掉电后ROM中 的数据可保持不变。 因为结构、价格原因，主存储器的容量受限。为满足计算的需要而采用了大容量的辅助存储 器或称外存储器，如磁盘、光盘等。 存储器的特性由它的技术参数来描述。
存储容量：存储器可以容纳的二进制信息量称为存储容量。一般主存储器内存容量在几 十K到几十M字节左右;辅助存储器外存在几百K到几千M字节。
存取周期：存储器的两个基本操作为读出与写入，是指将信息在存储单元与存储寄存器 MDR之间进行读写。存储器从接收读出命令到被读出信息稳定在MDR的输出端为止的时间 间隔，称为取数时间TA;两次独立的存取操作之间所需的最短时间称为存储周期TMC。半导 体存储器的存取周期一般为60ns-100ns。
存储器的可靠性：存储器的可靠性用平均故障间隔时间MTBF来衡量。MTBF可以理解为两 次故障之间的平均时间间隔。MTBF越长，表示可靠性越高，即保持正确工作能力越强。
性能价格比：性能主要包括存储器容量、存储周期和可靠性三项内容。性能价格比是一个 综合性指标，对于不同的存储器有不同的要求。对于外存储器，要求容量极大，而对缓冲存 储器则要求速度非常快，容量不一定大。因此性能/价格比是评价整个存储器系统很重要的 指标。
SDARM能成为下一代内存的主流吗
快页模式FPMDRAM的黄金时代已经过去。随着高效内存集成电路的出现和为优化Pentium 芯片运行效能而设计的INTEL HX、VX等核心逻辑芯片组的支持，人们越来越倾向于采用扩 展数据输出EDODRAM。 EDO DRAM采用一种特殊的内存读出电路控制逻辑，在读写一个地址单元时，同时启动下一 个连续地址单元的读写周期。从而节省了重选地址的时间，使存储总线的速率提高到 40MHz。也就是说，与快页内存相比，内存性能提高了将近15%～30%，而其制造成本与快页 内存相近。
但是EDO内存也只能辉煌一时，其称霸市场的时间将极为短暂。不久以后市场上主流CPU的 主频将高达200MHz以上。为优化处理器运行效能，总线时钟频率至少要达到66MHz以上。 多媒体应用程序以及Windows 95和Windows NT操作系统对内存的要求也越来越高，为缓解 瓶颈，只有采用新的内存结构，以支持高速总线时钟频率，而不至于插入指令等待周期。
这样，为适应下一代主流CPU的需要，在理论上速度可与CPU频率同步，与CPU共享一个时钟 周期的同步DRAMSYNCHRONOUS DRAMS即SDRAM注意和用作CACHE的SRAM区别，SRAM的全 写是Static RAM即静态RAM，速度虽快，但成本高，不适合做主存应运而生，与其它内存 结构相比，性能\\价格比最高，势必将成为内存发展的主流。
SDRAM基于双存储体结构，内含两个交错的存储阵列，当CPU从一个存储体或阵列访问数据 的同时，另一个已准备好读写数据。通过两个存储阵列的紧密切换，读取效率得到成倍提 高。去年推出的SDRAM最高速度可达100MHz，与中档Pentium同步，存储时间高达5～ 8ns，可将Pentium系统性能提高140%，与Pentium 100、133、166等每一档次只能提高性 能百分之几十的CPU相比，换用SDRAM似乎是更明智的升级策略。
在去年初许多DRAM生产厂家已开始上市4MB×4和2MB×8的16MB SDRAM内存条，但其成本 较高。现在每一个内存生产厂家都在扩建SDRAM生产线。预计到今年底和初，随着 64M SDRAM内存条的大量上市，SDRAM将占据主导地位。其价格也将大幅下降。
但是SDRAM的发展仍有许多困难要加以克服，其中之一便是主板核心逻辑芯片组的限制。VX 芯片组已开始支持168线SDRAM，但一般VX主板只有一条168线内存槽，最多可上32M SDRAM，而简洁高效的HX主板则不支持SDRAM。预计下一代Pentium主板芯片组TX将更好 的支持SDRAM。Intel最新推出的下一代Pentium主板芯片组TX将更好的支持SDRAM。
SDRAM不仅可用作主存，在显示卡专用内存方面也有广泛应用。对显示卡来说，数据带宽越 宽，同时处理的数据就越多，显示的信息就越多，显示质量也就越高。以前用一种可同时进 行读写的双端口视频内存VRAM来提高带宽，但这种内存成本高，应用受很大限制。因此在 一般显示卡上，廉价的DRAM和高效的EDO DRAM应用很广。但随着64位显示卡的上市，带 宽已扩大到EDO DRAM所能达到的带宽的极限，要达到更高的1600×1200的分辨率，而又尽 量降低成本，就只能采用频率达66MHz、高带宽的SDRAM了。
SDRAM也将应用于共享内存结构UMA——一种集成主存和显示内存的结构。这种结构在很 大程度上降低了系统成本，因为许多高性能显示卡价格高昂，就是因为其专用显示内存成本 极高，而UMA技术将利用主存作显示内存，不再需要增加专门显示内存，因而降低了成本。
什么是Flash Memory 存储器
介绍关于闪速存储器有关知识近年来，发展很快的新型半导体存储器是闪速存储器Flash Memory。它的主要特点是在不 加电的情况下能长期保持存储的信息。就其本质而言，Flash Memory属于EEPROM电擦除可 编程只读存储器类型。它既有ROM的特点，又有很高的存取速度，而且易于擦除和重写， 功耗很小。目前其集成度已达4MB，同时价格也有所下降。 由于Flash Memory的独特优点，如在一些较新的主板上采用Flash ROM BIOS，会使得BIOS 升级非常方便。
Flash Memory可用作固态大容量存储器。目前普遍使用的大容量存储器仍为硬盘。硬盘虽 有容量大和价格低的优点，但它是机电设备，有机械磨损，可靠性及耐用性相对较差，抗冲 击、抗振动能力弱，功耗大。因此，一直希望找到取代硬盘的手段。由于Flash Memory集 成度不断提高，价格降低，使其在便携机上取代小容量硬盘已成为可能。
目前研制的Flash Memory都符合PCMCIA标准，可以十分方便地用于各种便携式计算机中以 取代磁盘。当前有两种类型的PCMCIA卡，一种称为Flash存储器卡，此卡中只有Flash Memory芯片组成的存储体，在使用时还需要专门的软件进行管理。另一种称为Flash驱动 卡，此卡中除Flash芯片外还有由微处理器和其它逻辑电路组成的控制电路。它们与IDE标 准兼容，可在DOS下象硬盘一样直接操作。因此也常把它们称为Flash固态盘。 Flash Memory不足之处仍然是容量还不够大，价格还不够便宜。因此主要用于要求可靠性 高，重量轻，但容量不大的便携式系统中。在586微机中已把BIOS系统驻留在Flash存储 器中。
篇7：内存基础知识介绍
内存也经过了几代的发展，现今比较流行的是DDR2、DDR3、DDR3L几种规格，DDR3现在已基本普及，这里给大家分享一些关于内存基础知识介绍，希望对大家能有所帮助。
什么是Shadow RAM 内存
Shadow RAM也称为“影子”内存。它是为了提高系统效率而采用的一种专门技术。 Shadow RAM所使用的物理芯片仍然是CMOS DRAM动态随机存取存储器芯片。Shadow RAM 占据了系统主存的一部分地址空间。其编址范围为C0000～FFFFF，即为1MB主存中的 768KB～1024KB区域。这个区域通常也称为内存保留区，用户程序不能直接访问。
Shadow RAM的功能是用来存放各种ROM BIOS的内容。或者说Shadow RAM中的内容是ROM BIOS的拷贝。因此也把它称为ROM Shadow即Shadow RAM的内容是ROM BIOS的“影 子”。 在机器上电时，将自动地把系统BIOS、显示BIOS及其它适配器的BIOS装载到Shadow RAM 的指定区域中。由于Shadow RAM的物理编址与对应的ROM相同，所以当需要访问BIOS时， 只需访问Shadow RAM即可，而不必再访问ROM。
通常访问ROM的时间在200ns左右，而访问DRAM的时间小于100ns最新的DRAM芯片访问时 间为60ns左右或者更小。在系统运行的过程中，读取BIOS中的数据或调用BIOS中的程序 模块是相当频繁的。显然，采用了Shadow技术后，将大大提高系统的工作效率。 按下按键你可以看到该地址空间分配图,在如图所示的1MB主存地址空间中，640KB以下的 区域是常规内存。640KB～768KB区域保留为显示缓冲区。768KB～1024KB区域即为Shadow RAM区。在系统设置中，又把这个区域按16KB大小的尺寸分为块，由用户设定是否允许使 用。
C0000～C7FFF这两个16KB块共32KB通常用作显示卡的ROM BIOS的Shadow区。 C8000～EFFFF这10个16KB块可作为其它适配器的ROM BIOS的Shadow区。F0000～FFFFF 共64KB规定由系统ROM BIOS使用。 应该说明的是，只有当系统配置有640KB以上的内存时才有可能使用Shadow RAM。在系统 内存大于640KB时，用户可在CMOS设置中按照ROM Shadow分块提示，把超过640KB以上的 内存分别设置为“允许”Enabled即可。
什么是EDO RAM
内存是计算机中最主要的部件之一。微机诞生以来，它的心脏--CPU几经改朝换代，目前已 发展到了PentiumⅡ，较之于当初，它在速度上已有两个数量级的增长。而内存的构成器件 RAM随机存储器--一般为DRAM动态随机存储器，虽然单个芯片的容量不断扩大，但存取 速度并没有太大的提高。虽然人们早就采用高速但昂贵的SRAM芯片在CPU和内存之间增加 一种缓冲设备--Cache，以缓冲两者之间的速度不匹配问题。但这并不能根本解决问题。于 是人们把注意力集中到DRAM接口芯片收发数据的途径上。
在RAM芯片之中，除存储单元之外，还有一些附加逻辑电路，现在，人们已注意到RAM芯片 的附加逻辑电路，通过增加少量的额外逻辑电路，可以提高在单位时间内的数据流量，即所 谓的增加带宽。EDO正是在这个方面作出了尝试。
扩展数据输出Extended data out--EDO，有时也称为超页模式--hyper-page-modeDRAM， 和突发式EDOBust EDO-BEDODRAM是两种基于页模式内存的内存技术。EDO大约一年前被 引入主流PC，从那以后成为许多系统厂商的主要内存选择。BEDO相对更新一些，对市场的 吸引还未能达到EDO的水平。 EDO的工作方式颇类似于FPM DRAM：先触发内存中的一行，然后触发所需的那一列。但是当 找到所需的那条信息时，EDO DRAM不是将该列变为非触发状态而且关闭输出缓冲区这是 FPM DRAM采取的方式，而是将输出数据缓冲区保持开放，直到下一列存取或下一读周期开 始。由于缓冲区保持开放，因而EDO消除了等待状态，且突发式传送更加迅速。
EDO还具有比FPM DRAM的6-3-3-3更快的理想化突发式读周期时钟安排：6-2-2-2。这使得 在66MHz总线上从DRAM中读取一组由四个元素组成的数据块时能节省3个时钟周期。EDO 易于实现，而且在价格上EDO与FPM没有什么差别，所以没有理由不选择EDO。 BEDO DRAM比EDO能更大程度地改善FPM的时钟周期。由于大多数PC应用程序以四周期突 发方式访问内存，以便填充高速缓冲内存 系统内存将数据填充至L2高速缓存，如果没有 L2高速缓存，则填充至CPU，所以一旦知道了第一个地址，接下来的三个就可以很快地由 DRAM提供。BEDO最本质的改进是在芯片上增加了一个地址计数器，用来跟踪下一个地址。 BEDO还增加了流水线级，允许页访问周期被划分为两个部分。
对于内存读操作，第一部分 负责将数据从内存阵列中读至输出级第二级锁存，第二部分负责从这一锁存将数据总线驱 动至相应的逻辑级别。因为数据已经在输出缓冲区内，所以访问时间得以缩短。BEDO能达 到的最大突发式时钟安排为5-1-1-1采用52nsBEDO和66-MHz总线比优化EDO内存又节省 了四个时钟周期。
RAM是如何工作的
实际的存储器结构由许许多多的基本存储单元排列成矩阵形式，并加上地址选择及读写控制 等逻辑电路构成。当CPU要从存储器中读取数据时，就会选择存储器中某一地址，并将该地 址上存储单元所存储的内容读走。 早期的DRAM的存储速度很慢，但随着内存技术的飞速发展，随后发展了一种称为快速页面 模式Fast Page Mode的DRAM技术，称为FPDRAM。FPM内存的读周期从DRAM阵列中某一行 的触发开始，然后移至内存地址所指位置的第一列并触发，该位置即包含所需要的数据。第 一条信息需要被证实是否有效，然后还需要将数据存至系统。一旦发现第一条正确信息，该 列即被变为非触发状态，并为下一个周期作好准备。这样就引入了“等待状态”，因为在该 列为非触发状态时不会发生任何事情CPU必须等待内存完成一个周期。
直到下一周期开始 或下一条信息被请求时，数据输出缓冲区才被关闭。在快页模式中，当预测到所需下一条数 据所放位置相邻时，就触发数据所在行的下一列。下一列的触发只有在内存中给定行上进行 顺序读操作时才有良好的效果。 从50纳秒FPM内存中进行读操作，理想化的情形是一个以6-3-3-3形式安排的突发式周期 6个时钟周期用于读取第一个数据元素，接下来的每3个时钟周期用于后面3个数据元 素。第一个阶段包含用于读取触发行列所需要的额外时钟周期。一旦行列被触发后，内存 就可以用每条数据3个时钟周期的速度传送数据了。 FP RAM虽然速度有所提高，但仍然跟不上新型高速的CPU。很快又出现了EDO RAM和SDRAM等新型高速的内存芯片。
★只读内存
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