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篇1：硅、锗材料在Si(100)表面的生长研究
硅、锗材料在Si(100)表面的生长研究
利用扫描隧道显微镜和超高真空实验装置系统进行了Si(100)表面生长Si,Ge的实验研究.分析了所生成表面的`形貌、结构等物理性质.研究表明:Si在Si(100)表面的同质生长可以形成纳米结构薄膜.Ge在Si(100)表面生长形成规则的三维小岛.而在Si/Ge/Si(100)多层膜上生长则形成大小二种三维岛.研究表明大岛具有Ge/Si/Ge的壳层结构.
作 者：汪雷 唐景昌 杨德仁 王学森 胡艳芳 作者单位：汪雷,唐景昌,杨德仁(浙江大学硅材料国家重点实验室,浙江大学物理系,杭州,310027)王学森,胡艳芳(香港科技大学物理系,香港九龙清水湾,复旦大学物理系,上海,33)
刊 名：真空科学与技术学报 ISTIC EI PKU英文刊名：VACUUM SCIENCE AND TECHNOLOGY 年，卷(期)： 22(2) 分类号：O484.1 O472+.1 关键词：锗 硅 扫描隧道显微镜篇2：在Si(111)-(7×7)表面自组织生长二维Ge团簇超晶格?
在Si(111)-(7×7)表面自组织生长二维Ge团簇超晶格?
利用超高真空扫描隧道显微镜研究了室温条件下亚单层Ge在Si(111)-(7×7)表面上的自组织生长.通过控制Ge的沉积量,在Si(111)-(7×7)表面上自组织生长成一种具有六重对称性的'二维Ge团簇超晶格.构成超晶格的Ge团簇均位于(7×7)亚单胞的位置上,而且它们的形状和大小基本保持一致.文中对这种自组织结构的形成机理进行了讨论.
作 者：闫隆 张永平彭毅萍 庞世谨 高鸿钧 作者单位：中国科学院物理研究所和凝聚态物理中心北京真空物理开放实验室,北京,100080 刊 名：物理学报 ISTIC SCI PKU英文刊名：ACTA PHYSICA SINICA 年，卷(期)：2002 51(5) 分类号：O4 关键词：扫描隧道显微镜(STM),Si(111)-(7×7)表面,二维Ge团簇超晶格篇3：含纳米硅和纳米锗的氧化硅薄膜光致发光的比较研究?
含纳米硅和纳米锗的氧化硅薄膜光致发光的比较研究?
分别以硅-二氧化硅和锗-二氧化硅复合靶作为溅射靶，采用磁控溅射技术在p型硅衬底上淀积了含纳米硅的氧化硅薄膜和含纳米锗的氧化硅薄膜.各样品分别在氮气氛中经过300至1100℃不同温度的退火处理.使用高分辨透射电子显微镜可以观察到经900和1100℃退火的含纳米硅的氧化硅薄膜中的.纳米硅粒，和经900和1100℃退火的含纳米锗的氧化硅薄膜中的纳米锗粒.经过不同温度退火处理的含纳米硅的氧化硅和含纳米锗的氧化硅薄膜的光致发光谱均具有相似的峰型，且它们的发光峰位均位于580nm(2.1eV)附近.可以认为含纳米硅的氧化硅和含纳米锗的氧化硅薄膜的光发射主要来自于SiO2层中发光中心上的复合发光，对实验结果进行了合理的解释.
作 者：马书懿 秦国刚 尤力平王印月 作者单位：马书懿(西北师范大学物理系,)秦国刚,尤力平(北京大学物理系,)
王印月(兰州大学物理科学与技术学院,)
刊 名：物理学报 ISTIC SCI PKU英文刊名：ACTA PHYSICA SINICA 年，卷(期)：2001 50(8) 分类号：O4 关键词：光致发光 纳米硅 纳米锗 发光中心
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